MOS管，全称为 金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET），是一种 广泛使用的电子器件。它主要由金属栅极（Gate）、氧化物绝缘层（通常是二氧化硅SiO₂）和半导体层（通常是硅Si）组成。栅极与源极（Source）和漏极（Drain）之间通过绝缘层隔离，因此也被称为绝缘栅场效应管。
MOS管的工作原理是通过控制栅极电压来改变半导体表面或内部的电场，从而控制源极和漏极之间的电流。在电路中，MOS管可以作为开关使用，当栅极电压达到一定值时，源极和漏极之间会导通，允许电流通过；当栅极电压降低时，源极和漏极之间会截止，阻止电流通过。
由于MOS管具有体积小、功耗低、易于集成等优点，它们在现代电子电路中得到了广泛应用，尤其是在需要小电压控制大电流的情况下，如电磁炉等应用中。