光刻是一种 将掩膜版上的图形转移到涂有光刻胶的硅片上的化学加工方法，通过光学曝光和显影过程，在硅片表面形成所需的图案。光刻是半导体制造中非常关键的工艺步骤，能为后续的刻蚀或离子注入工序做好准备。
光刻工艺的基本原理是利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩膜版上的图形刻制到晶圆表面上。光刻胶是一种感光性耐化学腐蚀薄膜，在曝光后会发生化学反应，形成特定的图案。根据不同的需求，光刻技术还可以应用于化学冲孔或化学切割。
在光刻过程中，首先在硅片表面均匀涂覆一层光刻胶，然后利用掩膜版对光刻胶进行曝光。曝光部分的光刻胶不溶于显影剂，而未曝光部分的光刻胶则可以利用显影剂去除，从而在光刻胶上形成所需的图案。光刻技术可以用于生成尺寸精确的特征图形，并且这些图形在晶圆表面的位置正确且与其它部件的关联正确。
光刻技术的发展对于半导体技术的进步至关重要，尤其是随着摩尔定律将半导体技术路线图推向更小的制程节点时，光刻技术的精度和效率直接影响到芯片的性能和产量。目前市场上主流的光刻技术包括193nm沉浸式光刻技术，以及正在研发中的极紫外（EUV）、多束电子束和定向自组装（DSA）等下一代光刻技术。